Шпаргалка по "Схемотехнике управляющих систем"
Шпаргалка, 21 Января 2014, автор: пользователь скрыл имя
Описание работы
Работа содержит ответы на вопросы для экзамена (зачета) по "Схемотехнике управляющих систем"
Файлы: 14 файлов
1,2,3,4,33.doc
— 216.00 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)13-16,58.doc
— 192.50 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)17,56,57.doc
— 70.00 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)18,19,20.doc
— 3.41 Мб (Просмотреть файл, Скачать файл)21-24.doc
— 106.50 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)25-28,35.doc
— 67.00 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)32,38,39,40,45,46.doc
— 106.00 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)36-37,29-31.doc
— 4.97 Мб (Просмотреть файл, Скачать файл)41,42,43,44.doc
— 374.50 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)48-52.doc
— 93.50 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)5-8,47.doc
— 136.50 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)53-55.doc
— 39.00 Кб (Скачать файл)53
Проектирование блока ОЗУ на м/сх статических ОЗУ.
Состоит из
- модуль ОЗУ
- буфер данных и шина
- система управления
Модуль ОЗУ предназначен для запоминания слова заданной размерности. Разрядность определяется шиной данных. Если инф. емкость , разработанного ОЗУ (1 стр. памяти), оказывается недостаточной, то можно увеличить инф. емкость за счет добавления других страниц. При этом старшие разряды шины адреса, кот. не подаются непосредственно на м/сх памяти, используется для адресации страниц. При построении 1 стр. памяти адресные входы м/сх включаются параллельно. Входы DI и выходы DO образуют шину данных , поэтому не включается в шину параллельно.
ША=16р
А15 А14 А13 А12 |
CS1 CS2 CS3 …CS15 |
0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 . . . . . . . . . 1 1 1 1 |
0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 . . . . . . . . . 1 1 1 0 |
54
М/сх динамических ОЗУ. Элемент памяти. Режимы работы. УГО.
Элемент памяти
состоит:
- конденсатор
- управляющий ключ на МОП транзистроре
ЛВi – линия выбора элемента памяти. Исток ключа подключен к линии записи считывания ЛЗСj
Запись инф.:
1 активизируется линия тран-ра и появляется возможность записи.
UЛЗС = “1” UСз =’1’
UЛЗС = “0” UСз =’0’
УГО К565РУ3
RAS, CAS – стробирующие входы для записи адреса в м/сх
RAS актив – адрес подается строки матрицы накопителя
СAS - на столбцы
Информационная емкость I=214 =16 Кбит
Режимы работы
1 - запись одного разряда данных
2 - чтение одного разряда данных
3 - считывание, модификация, запись
4 - страничное считывание
5 - страничная запись
6 - режим регенерации
55
Микросхемы постоянных ЗУ. Классификация ПЗУ. Структурная схема. УГО. Таблица режимов работы ПЗУ.
Постоянная инф. , кот. с течением времени не меняется. Поэтому п/проводниковые м/сх ПЗУ работают в 2 режимах: считывание и хранение.
Все м/сх ПЗУ являются многоразрядными, т.е. в них по n – разрядному адресу находится m- разрядное слово данных. Поэтому м/сх преобразователями кода адреса в код данных.
По способу программирования делятся на 3 группы:
1) Масочные ПЗУ (ПЗУМ, ROM) - ПЗУ однократно программируемые заводом изготовителем, по методу фотошаблона или маски.
2) ППЗУ, PROM – ПЗУ однократно программируемые пользователем методом пережигания плавких перемычек.
3) Репрограммируемые ПЗУ - РПЗУ,EPROM – ПЗУ многократно программируемые пользователем.