Динамика сетки водородных связей в воде и аморфном льде

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 08 Декабря 2013 в 12:58, курсовая работа

Описание работы

Цель: исследовать динамику сетки водородных связей в воде методом молекулярной динамики
Задачи:
выполнить компьютерное моделирование молекулярной динамики воды для температурной области от 200 до 400К при давлении 1.0 атм и аморфного льда для температурной области при этом же давлении;
выполнить компьютерное моделирование молекулярной динамики воды для давления от 1.0 атм. до 10000 атм. При постоянной температуре 277К;
рассчитать радиальную функцию распределения молекул воды в зависимости от давления;
выполнить литературный обзор критериев водородной связи для воды;

Содержание работы

ВВЕДЕНИЕ 3
ГЛАВА I. ФАЗОВАЯ ДИАГРАММА И АНОМАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ВОДЫ 5
§1.1. О воде. 5
§ 1.2. Водородная связь в воде. Критерий водородной связи 7
§ 1.3. Аномальные свойства воды 9
Физические 9
Аномалии плотности 12
Аномалии ёмкости 16
§ 1.4. Кристаллические льды 18
§ 1.5.Аморфные льды 29

ГЛАВА II. ЧИСЛЕННЫЕ РАСЧЕТЫ ГЕОМЕТРИЧЕСКОГО КРИТЕРИЯ ВОДОРОДНОЙ СВЯЗИ 33
§2.1 Детали моделирования 33
§2.2 Структурные свойства 34
§2.3 Параметры порядка 36
Сетка водородных связей 40
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ПО II ГЛАВЕ 43
ГЛАВАIII.ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ВОДЫ…………………………….44
§3.1. Понятие о электролизе и электролитах…………………………………….44

§3.2. Электрокристаллизация и ее закономерности……………………………. 55

§3.3.Динамика сетки водородных связей при электрокристаллизации воды58
Детали моделирования 59
Результаты 60
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ПО III ГЛАВЕ 68
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 69

Файлы: 1 файл

Министерство образования и науки РФ.docx

— 2.42 Мб (Скачать файл)

 

 

 

 

(25)


 

 

 

где D —  коэффициент диффузии ионов; δд — толщина диффузионного слоя, см; а, ае — активность ионов в массе раствора и в контакте металла с электролитом.

 

Когда другие ступени электродной реакции  происходят быстро, переход разряжающихся  ионов через диффузионный слой может  тормозить общую электрохимическую  реакцию. Такое торможение называют диффузионным перенапряжением и  вычисляют по формуле

 

 

 

 

(26)


 

i — плотность  применяемого для электролиза  тока; iп — предельный ток, при котором скорость разряда ионов равна скорости их притока к поверхности катода путем диффузии и миграции.

 

Среднюю толщину диффузионного слоя принимают  равной 0,05 см. Тогда предельный ток  в неперемешиваемых электролитах (при 20 °С) определяют по приближенной формуле iп= 0,025za1, где a1 — активность разряжающихся ионов в растворе, которая для приближенных расчетов может быть заменена их концентрацией Сi.

Переход ионов через двойной электрический  слой под действием потенциала разряда, градиент которого является наиболее высоким в данном слое.

Имея  в виду, что почти весь спад электрического потенциала происходит в двойном  электрическом слое, и принимая, что толщина этого слоя равна  нескольким атомам, нетрудно подсчитать, что градиент потенциала в нем  достигает десятков миллионов вольт на сантиметр. Поэтому в двойном электродном слое происходит взаимодействие вещества с электричеством (в сущности только эта ступень и является настоящей электрохимической реакцией).

В анодном процессе к двойному электрическому слою поступают нейтральные или  слабозаряженные атомы металла, а выходят из него в диффузионный слой полностью сформировавшиеся ионы, имеющие ближайшую гидратную  оболочку. В катодном процессе, наоборот, к двойному электрическому слою подходят из диффузионного Пространства гидратированные  ионы и полностью освобождаются  от этой оболочки или комплексообразующих  лигандов. Поэтому переход ионов  через двойной электрический  слой часто затрудняет электродную  реакцию, обусловливает ее скорость и вызывает так называемое переходное перенапряжение ηп, являющееся также функцией плотности тока. Его определяют для анодного и катодного процессов:

 

(для анодного)

(для катодного)

 

(26)


 

В обоих  случаях уравнения имеют форму  эмпирического уравнения Тафеля:

 

 

(27)


 

где а  и b — константы, определяемые опытным  путем.

 

Если  скорость электродной реакции обусловлена  только скоростью перехода ионов  через двойной электрический  слой, то, отложив значения ηп по одной оси координат, а log i — по другой, получают прямую Тафеля, по наклону которой определяют константу b. Для анодного процесса b=2,303RT/αzF, а для катодного 2,303/RT(1-α)zF. Из этих равенств вычисляют произведение αz, а с учетом валентности переходящих ионов и коэффициент переноса а. Если прямую Тафеля провести до ее пересечения с осью координат при ηп=0, то можно получить значение тока обмена. Уравнения переходного перенапряжения для обоих процессов выведены без учета дзета-потенциала, образующегося в диффузионном слое. Хотя во многих случаях он является незначительной величиной по сравнению с общим электродным потенциалом φ, его исключение иногда может привести к значительным погрешностям определения значений а и i0.

Электронейтрализация  ионов и освобождение их от гидратированной  воды и адсорбция на катоде с последующим  вступлением в кристаллическую  решетку составляет только часть  процесса электрокристаллизации. Другую часть составляет образование двух- или трехмерных зародышей кристаллизации, вокруг которых происходит рост кристаллов металла. Поэтому процесс электрокристаллизации  также оказывает влияние на потенциал  электрода и на скорость катодной реакции и характеризуется величиной, называемой перенапряжением кристаллизации ηк.

В случае образования двухмерных зародышей  перенапряжение кристаллизации определяют по уравнению

 

 

(27)


 

где А  и В — константы; ηк< 0.

Следовательно, с повышением перенапряжения кристаллизации число двухмерных зародышей увеличивается, а зернистость электроосадков уменьшается. Для определения перенапряжения кристаллизации при образовании  трехмерных зародышей применяют  уравнение

 

 

(28)


 

Кроме указанных  перенапряжений существует реакционное, или химическое перенапряжение, которое  вызвано замедлением отдельных  этапов катодной реакции. Например, [Cd(CN)4]2- +2ē -> Cd + 4CN-.

Эта реакция  состоит из трех отдельных реакций:

[Cd(CN)4]2- -> Cd(CN)+ 2CN-;

Cd(CN)+ 2ē -> Cd + (CN)22-;

(CN)22- -> 2CN-.

Вторая  реакция является электрохимической  и при определенных условиях может  явиться тормозом общей электродной  реакции и сместить электродный  потенциал. Реакционное перенапряжение ηв значительной степени зависит от изменения концентрации участвующих в химической реакции веществ, которые являются составной частью механизма общего катодного процесса, и связано с диффузионными явлениями. Поэтому значение ηчасто объединяют с диффузионным перенапряжением и называют концентрационным перенапряжением ηс = ηд + ηr.

Таким образом, перенапряжение электродной реакции  состоит из следующих перенапряжений отдельных ее ступеней:

η=ηпкс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

§3.2. Электрокристаллизация и ее закономерности

 

Последней стадией  катодной реакции при электроосаждении любого металла является адсорбция  его атомов на поверхности катода с последующим внедрением их в  кристаллическую решетку гальваноосадков. Эту стадию принято называть электрокристаллизацией. Электрокристаллизация, электроосаждение, кристаллизация металлов и сплавов на катоде при электролизе растворов и расплавов соответствующих солей. Рост кристаллов при электрокристаллизации металлов имеет много общего с кристаллизацией из пара или раствора, фактором, определяющим пересыщение при электрокристаллизации, является перенапряжение, возникающее на электроде в ходе электрохимической реакции. В зависимости от величины перенапряжения рост кристаллов может происходить путём спирально-слоевого роста на винтовых дислокациях, образования и разрастания двумерных зародышей (особенно на бездислокационных кристаллах) и при достаточно высоких пересыщениях — путём образования трёхмерных зародышей или нормального роста кристаллов.

       Возможность изменения перенапряжения  на катоде в широких пределах  позволяет при электрокристаллизации   получать слои металлов с сильно  различающимися свойствами. Так,  в зависимости от условий образования  осадков плотность дислокаций  в них может изменяться от 106 до 1012см-2, соответственно изменяются и такие свойства, как электропроводность, твёрдость, пластичность. Высокие плотности дислокаций были обнаружены в осадках меди, никеля, железа, хрома, платины, серебра и др. Особенно сильное влияние на структуру осадков металлов, полученных методом электрокристаллизации, оказывает адсорбция поверхностно-активных веществ и включение примесей электрокристаллизации лежит в основе электрометаллургии, рафинирования металлов, гальванотехники. Ее следует расчленять на два этапа:

1) образование  на определенных местах катодной  поверхности кристаллических зародышей  или центров кристаллизации;

2) их рост  до кристаллитов, размеры которых  в гальвано-осадках в основном  определяются условиями катодной  реакции.

Допустим, что  вследствие флюктуации адсорбированных  атомов осаждаемого металла на грани  ABCD любого кристалла на катоде кратковременно образовались два кристаллических зародыша: маленький К1 и значительно больше К2. Для сохранения этих зародышей и их дальнейшего спонтанного роста необходима определенная энергия, которая может быть выражена потенциалом поляризации катода или перенапряжением.

 

Зависимость потенциала зародыша φ от его размеров h можно описать уравнениями, аналогичными уравнению Томпсона - Гиббса для давления паров маленьких капель жидкости:

 

 

(29)


где φ∞ - электродный потенциал бесконечно большого кристалла осаждаемого металла: δ - удельная поверхностная энергия зародыша в контакте с раствором; V - молекулярный объем металла; z - заряд ионов металла; h - размер зародыша, имеющего сферирическую полигональную форму.

При свободной  электрокристаллизации новые адсорбирующиеся  атомы а электроосаждаемого металла  могут с одинаковой степенью вероятности  диффундировать в двухмерном пространстве как к зародышу К1, так и к зародышу К2, вступая в кристаллические решетки. Однако кристаллические зародыши легче всего образуются на углах и ребрах растущих кристаллов, так как на этих местах отмечается наибольшее сгущение линий электрического поля. Поэтому степень заполнения разных граней кристаллов атомами или ионами металла неодинакова, и энергия образования кристаллических зародышей, или перенапряжение электрокристаллизации является функцией индексов граней.

Наиболее  медленно растут грани (III) кристаллов, состоящих из кубических гранецентрированных  решеток и грани (0001) кристаллов с  гексагональными плотно упакованными решетками. Рост тонких слоев кристаллов происходит при последовательном образовании  слоев металла примерно 10-5 - 10-4 см толщины на соответствующих гранях. Однако электрокристаллизация и кристаллизация гальванических покрытий зависят от вида покрытия, условий электролиза (состав электролита, плотность тока, температура и др.) металла и шероховатости поверхности подложки. Так, серебро осаждается слоями со скоростью 0,0004 мм/мин, медь со скоростью ~0,0002 мм/мин, олово - 0,0008 мм/мин. При этом рост кристаллов происходит только на определенных активных участках с последующим распространением по грани.

 По  степени трудности восстановления  ионов на катоде металлы условно  можно разделить на три группы. К первой группе относятся  металлы, восстанавливающиеся с  низким перенапряжением (олово,  кадмий, цинк, медь, серебро и др.). Выделение таких металлов происходит  в основном на активных участках  катода без заметной химической  поляризации.

    Металлы, восстанавливающиеся с высоким перенапряжением (Fe, Co, Ni, Cr, Mn и др.) склонны к пассивированию. Существование на катоде такой пленки вследствие адсорбции чужеродных частиц повышает перенапряжение и позволяет осаждать такие металлы из некоторых их солей. При этом покрытия не отличаются высокой чистотой и содержат примеси в виде окиси, гидроокиси, водорода и др.

   К третьей группе относятся металлы, которые пока не удается получать из водных электролитов (молибден, вольфрам, ниобий, титан, тантал, магний и др.). Для этих металлов характерна повышенная реакционная способность по отношению к среде и образование поверхностных соединений. Они выделяются на катоде в виде тонкого слоя окиси или гидроокиси.  

§3.3.Динамика сетки водородных связей при электрокристаллизации воды

В последние  годы исследование свойств воды в конфайнменте (воды, заключенной в цилиндрических порах или между тонкими пленками и пластинами) привлекает особое внимание ученых из-за ее важности для понимания многих биологических и геологических процессов, таких как: процессы, происходящие в мембранах и клетках; транспортные процессы в порах; капиллярные явления; динамические процессы при высоких давлениях, осуществляемые в недрах спутников таких планет Солнечной системы, как Юпитер, Сатурн, Уран и Нептун [20]. Установлено, что заключение воды между тонкими пленками (пластинами) или в пределах цилиндрических пор [21], а также применение внешнего давления [22,23], электрических полей [24-26], приводит к перестройке сетки водородных связей и при определенных условиях происходит фазовый переход между различными агрегатными состояниями воды. Особое место здесь занимает явление кристаллизации, составляющее основу многих природных и технологических процессов. Так, например, глобальные природные и климатические изменения связаны с процессами электрокристаллизации водяных капель в атмосфере Земли. Процесс электрокристаллизации, пожалуй, в моделировании является одним из основных при исследовании фазовых переходов в молекулярных системах. Так, кристаллизация переохлажденной воды индуцируемая внешним электрическим полем была изучена в работе [27]. Результаты исследования структурных трансформаций в водяных каплях при наличии внешних электрических полей были представлены в статье [28]. В работе [29] было изучено влияние электрических полей на диэлектрические свойства воды, расположенной между двумя пластинами серебра. Недавно в работе [24] была представлена фазовая диаграмма для воды, находящейся под действием внешнего электрического поля. Несмотря, на большое количество теоретических и молекулярно-динамических исследований в этом направлении, вопросы, связанные с динамикой сетки водородных связей при электрокристаллизации воды остаются невыясненными до сих пор. В данной работе с помощью метода неравновесной молекулярной динамики исследуется межмолекулярная динамика в процессе структурного упорядочения в воде, заключенной между замороженными углеродными слоями.

Информация о работе Динамика сетки водородных связей в воде и аморфном льде