Исследование p-n-перехода примесного полупроводника

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 13 Января 2014 в 04:57, лабораторная работа

Описание работы

Справочные данные:
КД105В – выпрямительный диод малой мощности (кремниевый):
Максимальное импульсное обратное напряжение: 400В
Максимальный прямой ток: 15А
Максимальное прямое напряжение: 1В
Рабочая температура: -55..85 ⁰С
Рабочая частота: 1кГц

Файлы: 1 файл

Физика Лабораторная работа №1.doc

— 62.00 Кб (Скачать файл)

Лабораторная работа №1

«Исследование p-n-перехода примесного полупроводника»

Цель: Снять ВАХ p-n-перехода при прямом включении

Схема исследования:

Обозначение типов приборов:

КД-105В

Д-237Ж

BYM10-600

BYM12-150

DIN3911

I (A)

U (B)

I (A)

U (B)

I (A)

U (B)

I (A)

U (B)

I (A)

U (B)

0.01*10-6

0.1

0.01*10-6

0.1

0.01*10-6

0.1

0.03*10-6

0.1

0.01*10-6

0.1

2.8*10-6

0.3

0.03*10-6

0.3

0.03*10-6

0.3

27*10-6

0.3

0.03*10-6

0.3

3*10-3

0.5

0.05*10-6

0.5

5.4*10-6

0.5

32*10-3

0.5

5.4*10-6

0.5

442*10-3

0.7

1.12*10-6

0.7

11.5*10-3

0.7

1.5

0.7

11.5*10-3

0.7

1.79

0.9

2.36*10-6

0.9

243*10-3

0.8

3

0.8

389*10-3

0.8

3.4

1.1

157*10-3

1

1.88

0.85

4.69

0.9

13.5

0.9

4.97

1.3

1.68

1.07

12.8

0.9

6.4

1

302

0.98

6.5

1.5

5.38

1.1

100

0.95

11.78

1.3

   

 

Справочные  данные:

КД105В –  выпрямительный диод малой мощности (кремниевый):

Максимальное импульсное обратное напряжение: 400В

Максимальный прямой ток: 15А

Максимальное прямое напряжение: 1В

Рабочая температура: -55..85 ⁰С

Рабочая частота: 1кГц

Д237Ж –  диффузорный кремниевый диод – выпрямительный диод малой мощности

Среднее прямое напряжение – не более 1В

Средний обратный ток – 50 мкА

Импульсное обратное напряжение – 400В

Максимальное обратное напряжение – 400В

BYM10-600 – выпрямительный диод

Максимальная рабочая температура - 175⁰С

Максимальный ток – 30А 

BYM12-150 – выпрямительный диод

Максимальная рабочая температура - 450⁰С

Рекомендуемая рабочая температура -65..175⁰С


Информация о работе Исследование p-n-перехода примесного полупроводника