Энергосберегающие технологии на железнодорожном транспорте

Ухтинский техникум железнодорожного транспорта – филиал федерального государственного бюджетного образовательного учреждения

высшего профессионального образования

«Петербургский государственный  университет путей сообщения»

(УТЖТ – филиал ПГУПС)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА

 

 

 

 

 

 

Контрольная работа № 1 с  краткими указаниями

для учащихся заочников 2 курса специальности

 

 

 

 

 

220415 «Автоматика и телемеханика  на транспорте (по видам транспорта)»

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ухта 2012 г.

 

 

Одобрено цикловой  комиссией  специальности 220415 Председатель 

Т.В.Мошкина

Протокол №1 

« 5 »сентября 2012 г. Составлена в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускника по специальности 220415Заместитель директора по учебной работе

_____________Т.М.Коротаева

 

«5 »сентября 2012 г.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Автор: -           В.М. Давыдов, преподаватель

Рецензенты: - Н.И. Нефедов – зам. Начальника

Сосногорской дистанции сигнализации и связи.

Т.В. Мошкина – преподаватель специальных дисциплин УТЖТ–филиала ПГУПС 

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

 

Программа предмета «Электроника, микроэлектроника и микропроцессорная техника» предусматривает  изучение устройства, принципа действия, характеристик и параметров электронных  приборов, а также физических основ  работы электронных схем усилителей, генераторов гармонических колебаний, импульсных устройств, интегральных микросхем  логических элементов, микропроцессоров и микро ЭВМ, применяемых в  системах автоматики и телемеханики железнодорожного транспорта и в  устройствах вычислительной техники.

Изучение программного материала  базируется на знании математики, физики, электроники и электрических  измерений и является основой  для последующего изучения специальных  предметов.

В процессе изучения материала учащиеся должны добиваться понимания физической сущности процессов и явлений, происходящих в приборах, схемах и их элементах. Наличие этих знаний — важнейшая  предпосылка успешной практической работы будущих техников, их способности  осмысленно и критически подходить  к выбору приборов и оценивать  возможность их использования.

В результате изучения предмета учащиеся должны приобрести знания о работе наиболее распространенных электронных  приборов, узлов электронной аппаратуры и элементов вычислительной техники. Учащиеся в процессе изучения материала  выполняют 1 контрольную работу; на 2 курсе.

Программой предусмотрено выполнение практических и лабораторных работ, которые выполняются под руководством преподавателя в сроки, предусмотренные  графиком. Ниже приводится полный перечень практических и лабораторных работ. Конкретное их количество определяет цикловая комиссия техникума в соответствии с учебным планом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ:

1. Исследование полупроводниковых  диодов и стабилитронов.

2. Исследование работы выпрямителей.

3. Исследование свойств и работы  биполярного транзистора.

4. Исследование свойств и работы  полевого транзистора определение  параметров.

5. Исследование работы  фотоэлектрических приборов.

6. Исследование работы тиристора.

7. Исследование параметров сигналов  с помощью осциллографа.

8. Исследование основных параметров  электронного усилителя напряжения.

9. Исследование бестрансформаторного усилителя мощности.

10. Исследование схем автогенератора.

11. Исследование работы мультивибратора.

12.  Исследование работы триггера  и пороговых устройств

 

 

ПРАКТИЧЕСКИЕ ЗАНЯТИЯ

 

1. Расчет нагрузочного режима  работы транзистора.

2. Составление схем счетчиков.

3. Представление и перевод чисел  из одной системы счисления  в другую.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Список литературы:

Основная литература:

1. З.А.Мизерная. Электронная техника.: Издательство «Маршрут», 2006.
2. С.А. Дунаева. Электроника, микроэлектроника и автоматика.– Москва, 2003.
3. Г.Н. Акимова. Электронная техника.– Москва, 2003.

 

Дополнительная  литература:

1. Г.Г.Калиш. Основы вычислительной техники.– Москва,2000
2. Б.А.Калабеков. Цифровые устройства и микропроцессорные системы.– Москва,2002.
3. З.А.Мизерная. Цифровые системы передачи.–Москва,2003.
4. З.Ю.Горелик. Схемотехника ЭВМ.–Москва,2007.
5. С.Д. Дунаев. Цифровая схемотехника.–Москва,2007.
6. М.В.Напрасник. Микропроцессоры и микро ЭВМ.–Москва,2000.
7. В.Л.Горбунов. Справочное пособие по микропроцессорам.–Москва,2001.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Контрольная работа № 1

 

Две последние цифры шифра		№ варианта	Номера  задач				Две последние цифры шифра			№ варианта	Номера  задач
01 или	51	1	4	21	60	79	26	или	76	26	1	22  48  69
02 или	52	2	5	22	59	78	27	или	77	27	2	23  47  68
03 или	53	3	6	23	58	77	28	или	78	28	5	24  46  67
04 или	54	4	7	24	57	76	29	или	79	29	7	25  45  66
05 или	55	5	8	25	56	75	30	или	80	30	8	26  44  65
06 или	56	6	20	26	55	74	31	или	81	31	9	27  43  64
07 или	57	7	11	27	54	73	32	или	82	32	10	28  42  63
08 или	58	8	12	28	53	72	33	или	83	33	12	29  40  62
09 или	59	9	13	29	52	71	34	или	84	34	13	30  49  61
10 или	60	10	14	30	51	70	35	или	85	35	14	31  47  60
11 или	61	11	15	31	50	69	36	или	86	36	16	25  45  75
12 или	62	12	1б	32	49	68	37	или	87	37	15	24  58  78
13 или	63	13	17	33	48	67	38	или	88	38	4	21  60  79
14 или	64	14	18	34	47	66	39	или	89	39	6	23  58  77
15  или	65	15	19	35	46	65	40	или	90	40	8	25  56  75
16  или	66	16	11	36	45	64	41	или	91	41	12	28  53  72
17 или	67	17	10	37	44	63	42	или	92	42	13	29  52  71
18 или	68	18	9	38	43	62	43	или	93	43	14	30  51  70
19 или	69	19	8	39	42	61	44	или	94	44	15	31  50  69
20 или	70	20	7	40	41	60	45	или	95	45	11	35  45  64
21 или	71	21	6	21	51	70	46	или	96	46	18	34  47  66
22 или	72	22	5	22	52	71	47	или	97	47	12	37  44  63
23 или	73	23	4	23	53	72	48	или	98	48	11	27  54  73
24 или	74	24	3	24	54	73	49	или	99	49	20	30  51  70
25 или	75	25	2	28	55	74	50	или	100	50	1	16  56  75

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Задача 1

Поясните собственную и примесную проводимость полупроводника. Поясните, маркировку следующих полупроводниковых диодов 2Д2997А, 2Ц414А, Д302 и укажите их основные параметры.

 

Задача 2

Поясните физические процессы и  опишите свойства электронно-дырочного перехода. Приведите схему выпрямления выберите диод для выпрямления переменного тока по следующим данным 1_ПР ⁼ 25 A, U_ОБP = 200В.

 

Задача 3

Поясните свойства электронно-дырочного  перехода при подключении прямого внешнего напряжения. Начертите схему включения диода. Определите сопротивление диода типа 2Д2997А прямому току. 

 

Задача 4

Поясните свойства электронно-дырочного  перехода при подключении обратного внешнего напряжения. Начертите схему включения диода. Определите сопротивление перехода: диода типа Д302 обратному току.

 

Задача 5

Приведите и поясните ВАХ полупроводникового диода. Начертите схему выпрямления, выберите тип диода и определите коэффициент выпрямления диода по следующим данным:

U_oбp = 50В, U_ПP=1,5B, I_ПР=10А, I_обр = 0_,08мА.

 

Задача 6

Поясните по каким параметрам кремниевые диоды лучше германиевых. Начертите схему выпрямления и укажите, какие полупроводниковые диоды целесообразно использовать в схемах выпрямления: Д818Г, ГД107Б. 2Д202В, АИ101А, 2С551

 

Задача 7

Поясните устройство и принцип  действия полупроводникового диода. Начертите схему выпрямления и укажите какие полупроводниковые диоды можно использовать в импульсных схемах: Д814Г, 2Д918А, АИ101Ь, КЦ405Г.

 

Задача 8

Дайте характеристику выпрямительным полупроводниковым диодам. Назовите основные преимущества выпрямительных полупроводниковых диодов перед кенотронами. Выберите диод для выпрямления переменного тока по следующим данным: I_н = 20А, U_oбp=100B.

 

Задача 9

Поясните назначение и принцип  действия стабилитронов. Начертите схему включения стабилитрона и выберите стабилитрон по следующим данным: U_h = 6В, I_н=1,5 мА.

 

Задача 10

Приведите ВАХ стабилитрона, укажите  область стабилизации. Начертите  схему включения стабилитрона и выберите стабилитрон по следующим данным: U_h = 7,5В, I_н=14 мА.

 

 

 

Задача 11

         Какие полупроводниковые приборы называют транзисторами. Поясните принцип действия биполярного транзистора. Выберите транзистор по следующим данным: Р_к<1 Вт, f<10 МГц.

 

Задача 12

          Приведите схему включения биполярного транзистора типа ГТ310Б с общей базой, покажите направление протекающих токов. Поясните условное обозначение транзистора.

 

Задача 13

         Сколько и каких переходов в транзисторе типа МП 10. Приведите схему включения транзистора с общим эмиттером, покажите направление протекающих токов. Покажите условное

обозначение транзистора.

 

Задача 14

          Поясните какими статическими характеристиками принято определять свойства транзистора. Приведите схему включения транзистора типа ГТ108А с общим коллектором, покажите направление протекающих токов. Поясните условное обозначение транзистора.

 

Задача 15

Поясните как связаны переменные составляющие токов и напряжений в схеме включения транзистора с общим эмиттером. Укажите основные параметры транзистора типа 2Г803А.

 

Задача 16

Приведите условные обозначения транзисторов типа 1Т321Б, КТЗ15 А на принципиальных схемах. Поясните как связаны постоянные токи в цепях транзистора. Определите ток базы транзистора, если ток коллектора 1к=100 мА, а ток эмиттера 1 э = 90 мА, током 1_кбо — пренебречь.

 

Задача 17

Поясните ключевой режим работы транзистора. Приведите схему включения  транзистора с общим эмиттером, покажите направлений протекающих токов. Укажите параметры транзистора типа КТ820А-1.

 

Задача 18

Объясните различие между биполярными  и полевыми транзисторами, назовите разновидности полевых транзисторов, укажите типы и приведите условные изображения их в схемах.

 

Задача 19

Приведите и поясните условные изображения  полевых транзисторов различной конструкции. Начертите схему включения транзистора типа 211302В с общим истоком, покажите направление протекающих токов. Поясните маркировку транзистора.

 

Задача 20

Поясните название и назначение электродов в полевом транзисторе. Приведите схему включения транзистора типа КП103Е с общим истоком. Укажите возможные области применения полевых транзисторов. Поясните маркировку транзистора.

 

 

Задача 21

Укажите, какие приборы называют фотоэлектронными. Поясните, как устроен фотоэлемент с внешним фотоэффектом типа СЦВ-4. Приведите схему включения и параметры.

 

Задача 22

Поясните, какими основными параметрами  характеризуется фотоэлементы. Приведите  схему включения фотоэлемента типа ЦВ-3 и укажите параметры.

Задача 23

Опишите устройство и работу фотоумножителя. Приведите схему включения фотоумножителя и определите коэффициент усиления фототока в четырехкаскадном ФЭУ, если коэффициент вторичной эмиссии а=3.