Транзисторы

Полевые транзисторы

Контрольная работа, 12 Июня 2013

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Расчет транзисторов

Лабораторная работа, 24 Декабря 2013

Основной целью работы является изучение устройства, принципов действия и основных технических характеристик полупроводниковых диодов и стабилитронов. Кроме того, целями работы являются: получение навыков снятия вольт-амперных характеристик диодов и стабилитронов и методик расчета простейших цепей с использованием данных элементов.
Основной целью работы является изучение устройства, принципов действия и основных технических характеристик биполярных и полевых транзисторов. Кроме того, целями работы являются: получение навыков снятия вольт-амперных характеристик 3-хполюсников изображение их в виде семейств кривых и использования их для расчета основных параметров транзисторов.

Биполярлы транзистор

Реферат, 04 Декабря 2013

Транзистордың көп тараған бір түрі биполярлы транзистор болып табылады. Биполярлы транзисторлар үш кезектелген электрондық (п) немесе кемтіктік (р) өткізгіштік облыстардан тұрады. Олар р-п-р және п-р-п типті болып ажыратылады. Биполярлы транзистордың ортаңғы облысы база, қалған екеуі эмиттер және коллектор деп аталады. База эмиттер мен коллектордан тиісінше эмиттерлік және коллекторлық р-п ауысуларымен бөлінген. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі база арқылы өтетін негізгі емес заряд тасушылардың ағынын бақылауға негізделген.

Биполярлық транзистор

Курсовая работа, 16 Ноября 2013

ранзистор (ағылш. transfer - тасымалдау және resistor - кедергіш) — электр тербелістерін күшейтуге, оларды тудыруға және түрлендіруге арналып жартылай өткізгіш кристалл негізінде жасалған электрондық құрал. Электрондық лампа сияқты қызмет атқаратын транзисторлар одан өлшемінің едәуір кішілігімен, электр энергиясын тұтынудағы аса үнемділігімен, механикалық аса беріктігімен және бүлінбей ұзақ жұмыс істейтіндігімен, бірден әсер етуге әзірлігімен ерекшеленеді. Радиолампа орнына қолданылатын жартылай өткізгіш аспаптар (транзисторлар) негізінде жасалған өте кішкентай радиоқабылдағыштарды көбінесе транзисторлар деп дұрыс атамайды; оның дұрыс атауы — транзисторлы қабылдағыш немесе транзистор негізінде жасалған қабылдағыш.1956 жылы қос полярлық транзисторды ойлап шығарғандары үшін Уильям Шокли, Джон Бардин және Уолтер Браттейн физикадан Нобель премиясын алған болатын.

Биполярлық транзистор

Курсовая работа, 16 Ноября 2013

Биполярный транзистор

Реферат, 29 Января 2014

Транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им.
В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида: биполярные и полевые. Биполярные транзисторы также часто называют обычными транзисторами. Биполярные транзисторы используются наиболее широко.

Режим работы транзистора

Реферат, 21 Октября 2013

Объектами данной работы является полупроводники. Цель работы: анализ применения полупроводников в науке и технике. В основной части работы даны методы исследования физики полупроводников, полученные результаты, основные конструктивные, технологические и технико-эксплуатационные характеристики. На основе них сделаны соответствующие выводы. Представлена к рассмотрению программа нахождения параметров диодов и транзисторов. Анализ возможностей использования полупроводников показал, что полупроводники могут широко использоваться в различных электронных устройствах.

Транзисторы шестого поколения

Статья, 06 Декабря 2012

последнее время сектор элементной базы для силовой электроники бурно развивается. Базовыми элементами силовых регулирующих устройств являются мощные ключи. Их основными параметрами являются предельные напряжения
и ток, а также быстродействие и эффективность передачи энергии. В качестве мощных ключевых элементов используются MOSFET_транзисторы, IGBT транзисторы и тиристоры. В тех областях, где требуется сочетание высоких рабочих напряжений и токов, доминируют IGBT_транзисторы. Они могут использоваться в виде дискретных приборов, бескорпусных кристаллов в составе гибридных силовых модулей и интеллектуальных силовых модулях различных приводов.

Полевые транзисторы и их применение

Курсовая работа, 18 Мая 2014

Целями данной курсовой работы являются формирование научной основы для целенаправленного использования полученных знаний при создании элементов, приборов и устройств микроэлектроники, практическое освоение основных понятий, полупроводниковых устройств, в частности, полевых транзисторов, изучение основ создания электронной компонентной базы и ее применения для создания электронных устройств различного назначения. Задачами курсовой работы являются практическое освоение основных понятий, расширение научного кругозора и эрудиции на базе изучения основ строения материалов и физики происходящих в них явлений, технологии материалов электронной и микроэлектронной техники, для последующего использования их при создании приборов твердотельной электроники и разработке технологии микроэлектроники.

Расчет усилителей на транзисторах и ОУ

Курсовая работа, 22 Ноября 2013

Как видно из рисунка, транзистор имеет три области полупроводника, причем две крайние области имеют одинаковый тип проводимости, а средняя область - противоположный. Одна из крайних областей транзистора называется эмиттером (Э), другая крайняя область транзистора называется коллектором (К). Коллектор имеет наибольшие размеры среди областей транзистора. Средняя область транзистора называется базой (Б). Внешние выводы, с помощью которых транзистор включается в электрическую схему, называются электродами.

Узкополосное согласование СВЧ транзистора

Лабораторная работа, 05 Декабря 2013

Цель работы: синтезировать микрополосковые согласующие цепи для СВЧ транзистора "fsx017wf" в пакете AWR Microwave Office, рассчитать максимально достижимый коэффициент усиления на рабочей частоте, сравнить полученный коэффициент усиления и максимально достижимый, оценить полосу пропускания по критерию согласования входа и выхода не хуже -10 дБ.

Расчёт усилителей на биполярных транзисторах

Курсовая работа, 18 Июня 2013

Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

Расчет усилителя низкой частоты на транзисторе

Курсовая работа, 25 Марта 2013

Интегральные схемы делятся на цифровые и аналоговые. Аналоговые схемы оперируют сигналами, представленными в аналоговой форме. Простейшими являются усилительные ячейки, усиливающие сигнал по мощности при сохранении формы сигнала. Сюда же относятся многокаскадные усилители, операционные усилители, преобразователи частоты, стабилизаторы и т.д.
В аналоговых схемах используется линейный участок передаточной характеристики, зависящий от выходного напряжения.

Биполярные транзисторы. Параметры и применение

Реферат, 19 Июня 2015

Транзисторы – это полупроводниковые приборы, пригодные для усиления мощности и имеющие три вывода или больше. В транзисторах может быть разное число переходов между областями с различной электропроводностью. Наиболее распространены транзисторы с двумя nеpеходами, называемые биполярными, так как их работа основана на использовании носителей заряда обоих знаков. Первые транзисторы были точечными, но они работали недостаточно устойчиво. В настоящее время изготовляются и применяются исключительно плоскостные транзисторы.

Расчет усилителя низкой частоты на транзисторе

Курсовая работа, 29 Марта 2013

Цель: - углубить знания студентов по курсам, связанным с темой курсового проекта;
- привить навыки самостоятельной работы с технической литературой;
- научить составлять, рассчитывать и анализировать электронные схемы;
- научить грамотно оформлять техническую документацию.
В курсовом проекте содержится краткое описание усилителей низкой частоты, их классификация, применение, основные технические решения. Также разработана структурная и электрическая принципиальная схема усилителя, и произведен ее расчет.

Исследование биполярных и полевых транзисторов

Курсовая работа, 30 Ноября 2014

В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданных типов транзисторов, определить их параметры и статические характеристики, в соответствии условиями задания, выполнить анализ работы транзисторов с нагрузкой в выходной цепи, рассчитать параметры, эквивалентной схемы и малосигнальные параметры транзисторов, определить отечественные и зарубежные аналоги заданных усилительных элементов

Расчет биполярного транзистора с применением ЭВМ

Контрольная работа, 10 Июля 2013

Исходные и корректируемые данные:
1.Значение тока коллектора = 10 мА.
2.Напряжение коллектор-эмиттер =5В.
3.Длина эмиттера =0,015см.
4.Ширина эмиттера =0,015см.
5.Глубина области (эмиттер) =1,8∙10-4 см.
6. Глубина области (активная база) =2,6∙10-4 см.
7.Толщина эпитаксиальной пленки =5∙10-4 см.

Расчет полупроводникового диода и МДП-транзистора

Курсовая работа, 08 Апреля 2013

Полупроводниковые приборы, с момента изобретения, имеют широкое применение в различных сферах деятельности. В особенности, огромное распространение получили транзисторы. В связи с тем что они очень легко приспосабливаются к различным условиям применения, приборы почти полностью заменили электронные лампы. На основе транзисторов и их применений выросла широкая отрасль промышленности – полупроводниковая электроника. Одно из первых промышленных применений транзистор нашел на телефонных коммутационных станциях.

Характеристики и параметры биполярных транзисторов

Реферат, 12 Мая 2013

Цель работы.
1) Изучить свойства биполярного транзистора путем снятия входных и выходных характеристик.
2) Освоить расчеты h-параметров по характеристикам транзистора.

Расчитать основные статические параметры транзистора

Контрольная работа, 16 Февраля 2014

Расчитать основные статические параметры транзистора МП25, а также показатели динамического режима транзисторногоо усилителя с использованием данного транзистора графоаналитическим методом. Составить принципиальную схему усилительного каскада, предусмотрев в ней элементы, оеспечивающие начальный режим (положение точки покоя) и температурную стабилизацию.

Транзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді

Лекция, 09 Марта 2014

Транзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді.
1. Өрістік (арналық) транзистор – жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын, оған перпендикуляр бағытталған электр өрісі әрекетінен болатын транзистор. Өрістік транзисторларда кристалл арқылы өтетін токты тек бір таңбалы заряд тасушы –электрон немесе кемтік тудырады. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай өрістік транзисторлар шартты түрде 2 топқа: #басқаратын р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш түйіспелі
2. оқшауланған жапқылы металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) транзисторлар деп бөлінеді.

Джон Бардин, Уолтер Браттейн, Уильям Шокли создали транзистор

Реферат, 24 Апреля 2014

Трудно найти такую отрасль науки и техники, которая так же стремительно развивалась и оказала такое же огромное влияние на все стороны жизнедеятельности человека, каждого отдельного и общества в целом, как электроника. Как самостоятельное направление науки и техники электроника сформировалась благодаря электронной лампе. Сначала появились радиосвязь, радиовещание, радиолокация, телевидение, затем электронные системы управления, вычислительная техника и т.п. Но электронная лампа имеет неустранимые недостатки: большие габариты, высокое энергопотребление, большое время вхождения в рабочий режим, низкую надежность.

Снятие статических характеристик полевого транзистора с р-n переходом

Лабораторная работа, 25 Мая 2013

ЦЕЛЬ РАБОТЫ. Изучение полевых транзисторов с n и p каналом, снятие статических выходных характеристик и сток-затворную характеристику. Исследовать влияние сопротивления нагрузки на сток-затворную характеристику и коэффициент усиления напряжения.
ТЕОРИЯ
Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором ток через канал управляется электрическим полем, возникающим при подаче напряжения между затвором и истоком.

Расчет зарядной емкости P-N-перехода и характеристик полевого транзистора

Курсовая работа, 15 Декабря 2011

Основным материалом, для создания полупроводникового прибора, являются различные полупроводники, т.е. это кристаллические или аморфные вещества. Для них характерна сильная зависимость сопротивления от температуры, напряженности электрического и магнитного полей, освещенности, механических напряжений, воздействие электромагнитных излучений и т.п.
В данной курсовой работе рассматривается структура и принцип действия полевого транзистора, его основные характеристики, а также расчет основных параметров.

Параметры транзисторов делятся на электрические и предельные эксплуатационные

Лекция, 06 Ноября 2013

Активный режим работы используется при усилении малых сигналов, прямое напряжение подается на эмиттерный переход, а обратное - на коллекторный.
В режиме отсечки оба перехода смещаются в обратном направлении. Ток транзистора в этом режиме мал, он практически заперт (транзистор заперт).
В режиме насыщения оба перехода смещаются в прямом направлении, через транзистор протекает максимальный ток, он полностью открыт (транзистор открыт).

Расчёт электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального МДП-транзистора

Курсовая работа, 19 Ноября 2014

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп.

Транзисторы. Конструктивно-технологическое обеспечение производства вычислительной техники

Доклад, 21 Апреля 2013

Основой полевого транзистора служит пластина кремния (затвор), в которой имеется тонкая область, называемая каналом (рис. 1,а). По одну сторону канала расположен сток, по другую - исток. При подключении к истоку транзистора плюсового, а к стоку минусового выводов батареи питания GB2 (рис. 1,б) в канале возникает электрический ток.
Первым прибором, позволившим получить заметное усиление тока, был точечный транзистор Браттейна и Бардина. Такой транзистор представляет собой кусочек германия n-типа, припаянный к металлическому основанию, которое играет роль базового контакта.

Общие теоретические сведения о биполярных транзисторах,. Основные технические параметры КТ201А

Курсовая работа, 19 Января 2014

Транзистором называют электронный полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Обычно выделяют два класса транзисторов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы.
В БТ ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков (и электронов, и дырок).

Работа биполярного транзистора в режиме усиления гармонического сигнала (квазистатический режим)

Курсовая работа, 26 Апреля 2013

Существует три основные схемы включения транзисторов. При этом один из электродов транзистора является общей точкой входа и выхода каскада. Надо помнить, что под входом (выходом) понимают точки, между которыми действует входное (выходное) переменное напряжение. Основные схемы включения называются схемами с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).
Схема с общим эмиттером (ОЭ). Такая схема изображена на рисунке 1. Данная схема является наиболее распространенной, т. к. дает наибольшее усиление по мощности.

Определение параметров и характеристик биполярных транзисторов с использованием справочной литературы

Контрольная работа, 25 Декабря 2012

Цель: Выработать навыки использования справочной литературы(электронных справочников) для определения характеристик и параметров биполярных транзисторов.
1 Поясните устройство и принцип работы биполярного транзистора.
2 Дайте определения эмиттера, коллектора и базы.
3 Почему биполярные транзисторы называют дрейфовыми и бездрейфовыми?
4 Покажите направления токов и полярность источников питания в схемах с общей базой и с общим коллектором в режиме покоя для транзисторов n-p-n и p-n-p типа.