Расчет транзисторов

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 24 Декабря 2013 в 10:52, лабораторная работа

Описание работы

Основной целью работы является изучение устройства, принципов действия и основных технических характеристик полупроводниковых диодов и стабилитронов. Кроме того, целями работы являются: получение навыков снятия вольт-амперных характеристик диодов и стабилитронов и методик расчета простейших цепей с использованием данных элементов.
Основной целью работы является изучение устройства, принципов действия и основных технических характеристик биполярных и полевых транзисторов. Кроме того, целями работы являются: получение навыков снятия вольт-амперных характеристик 3-хполюсников изображение их в виде семейств кривых и использования их для расчета основных параметров транзисторов.

Содержание работы

Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов 4
Лабораторная работа №2
Исследование биполярных и полевых транзисторов 7
Лабораторная работа №3
Исследование операционного усилителя 12

Файлы: 1 файл

лабы.docx

— 86.40 Кб (Скачать файл)

 

ФГОУ ВПО «Башкирский  государственный аграрный университет»

 

 

 

                                                                             Факультет_________________________

                                                                                   Кафедра __________________________

                                                                                   Специальность_____________________

                                                                                   Форма обучения____________________

                                                                                    Курс______________________________

 

 

 

 

 

АБСАЛЯМОВ АЗАМАТ АЙРАТОВИЧ

_____________________________________________________________________________

(Фамилия, имя, отчество  студента)

 

 

 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА

(название работы)

 

_____________________________________________________________________________

 

_____________________________________________________________________________

 

 

 

                                                                          «К защите допускаю»

                                                               Руководитель:

 

                                                                                             ____________________________

                                                                                             (ученая степень, звание, Ф.И.О)

                                                                                            ___________________________

                   

 

                                                                                                        _____________________

                                                                                                               (подпись)

                                                                                                    «____» _____________ 20__г.

 

Оценка при защите:

____________________________

____________________________

                (подпись)

 

«____»_________________ 20__г.

 

 

УФА-2013

ОГЛАВЛЕНИЕ

 

Лабораторная работа №.1

Исследование полупроводниковых  диодов и стабилитронов                             4

Лабораторная работа №2

Исследование биполярных и полевых транзисторов                                          7

Лабораторная работа №3 

Исследование операционного усилителя                                                           12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛАБОРАТОРНАЯ  РАБОТА №1

ИСЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ  ДИОДОВ И СТАБИЛИТРОНОВ

1 ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Основной целью  работы является изучение устройства, принципов действия и основных технических  характеристик полупроводниковых  диодов и стабилитронов. Кроме того, целями работы являются: получение  навыков снятия вольт-амперных характеристик (ВАХ) диодов и стабилитронов и  методик расчета простейших цепей  с использованием данных элементов.

2 ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ

1) По схемам приведенным на рисунке  2  снять прямую и обратные ветви ВАХ диода, изобразить их в виде графиков I = f(U).

2) По схемам приведенным на рисунке 3 снять прямую и обратные ветви ВАХ стабилитрона, изобразить их в виде графиков I = f(U).

Рисунок  1.1  Схема установки для снятия ВАХ диода

а – прямая ветвь, б – обратная ветвь

Рисунок  1.2  Схема установки для снятия ВАХ стабилитрона

а – прямая ветвь, б – обратная ветвь

 

3 РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Таблица 1.1

UR

43

0,05

0,17

38

0,29

1,1

34

0,32

1,2

31

0,38

1,4

 28

0,43

1,59


 

                             

Рисунок 1.3 График 1

Таблица 1.2

Uст

UR

4,8

-11

17,8

40

4

-10

15

37

3,2

-8

11,9

29,6

2,4

-7,5

8,9

27,8

1,6

-5

5,9

18,5


 

Рисунок 1.4 График 2

Вывод: получили ВАХ диода и стабилитрона. Построили графики и выяснили, что они приблизительно соответствуют типовым ВАХ диода и стабилитрона.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛАБОРАТОРНАЯ  РАБОТА №2

ИСЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1 ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Основной целью  работы является изучение устройства, принципов действия и основных технических  характеристик биполярных и полевых  транзисторов. Кроме того, целями работы являются: получение навыков снятия вольт-амперных характеристик (ВАХ) 3-хполюсников (транзисторов) изображение их в  виде семейств кривых и использования  их для расчета основных параметров транзисторов.

 

2 ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ

1) Снять семейство  выходных ВАХ биполярного транзистора,  изобразить их в виде графиков Iк = f(Uкэ), Iбi=const , и по ним определить  величины β ≈ ΔIк/(Iбi+1 – Iбi)|Uкэ=const – для разных участков ВАХ.

     2)Снять переходную (сток-затворную) ВАХ полевого  транзистора, изобразить ее в  виде графика Iс = f(Uзи)|Uси=const, и  по ней определить величины S ≈  ΔIc/ΔUзиt для линейного участка  ВАХ и Uотс.

3 РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

БТ

Таблица 2.1 Входные  ВАХ БТ

1

2

Uкэ

Uкэ

0

0

0

0

2

0,7

2

1,39

4

0,9

4

2,1

6

1,2

6

2,8

8

1,4

8

3,2

10

1,4

10

3,3


 

 

Таблица 2.1 продолжение

3

4

Uкэ

Uкэ

0

0

0

0

2

1,4

2

1.7

4

2,7

4

3,2

6

3,7

6

4,5

8

3,8

8

4,6

10

3,9

10

4,7


Рисунок 2.1 Входные ВАХ БТ

Таблица 2.2 Выходные ВАХ БТ

1

2

Uбэ

Uбэ

0

0

0

0

0,1

0,2

0,12

0,2

0,12

0,4

0,2

0,4

0,4

0,6

0,6

0,6

2

0,8

3,6

0,8

2,6

0,81

6

0,81


 

Рисунок 2.2 Выходные ВАХ БТ

ПТ

Таблица 2.3 Типовые переходные характеристики ПТ

1

2

Uзи

Uзи

-6

0

-6

0

-4

1,7

-4

1,9

-2

3

-2

3,6

0

4,3

0

5,1

2

5,9

2

6,3

4

7,1

4

8,2

6

8,2

6

8,9

8

8,3

8

9,1


 

Рисунок 2.3 Типовые переходные характеристики ПТ

Вывод: получили ВАХ 3-х полюсников (транзисторов) для БТ и ПТ. Построили семейства кривых для БТ и ПТ.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛАБОРАТОРНАЯ  РАБОТА №3

ИСЛЕДОВАНИЕ ОПЕРАЦИОННОГО  УСИЛИТЕЛЯ

1 ЦЕЛЬ РАБОТЫ

          Основной целью работы является изучение устройства, принципов действия и основных технических характеристик операционного усилителя.

2 ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ

1) Для каждой схемы усилителя снять АХ при fсигн=2кГц, изобразить их в виде графиков Uвых = f(Uвх) и по ним определить  Ku, Uвх.max и Uвых.max

2)Для каждой из схем усилителей снять АЧХ в полосе частот fсигн.min = 20 Гц … fсигн.max = 60 кГц (в точках 20Гц, 60Гц, 200Гц, 600Гц, …, 60кГц), при уровнях Uвх ≈ 1/2 Uвхmax, полученным при снятии АХ. Изобразить АЧХ в виде графиков Uвых = F(lg(fсигн.)) .

4 РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Таблица 3.1

вх

вых

V,Гц

3

12

300

3

12

200

3

17

100

2

10

10

3

12

20

3

12

30

3

14

40

3

12

50


 

Рисунок 3.1 Зависимость Uвх от Uвых

Таблица 3.2

вх

Вых

2

4

2,5

8

3

12

4

16

5

20


 

Рисунок 3.2 Зависимость Uвх от Uвых(2)

Вывод: изучили устройство, принципы действия и основные технические характеристики операционного усилителя. Построили Графики зависимости Uвх от Uвых.


Информация о работе Расчет транзисторов