Окисление кремния

Реферат, 04 Декабря 2014, автор: пользователь скрыл имя

Описание работы


Благодаря своим уникальным электрофизическим свойствам двуокись кремния находит широкое применение на различных стадиях изготовления СБИС. Слои SiO2используются как:
• маска для диффузии легирующих примесей;
• для пассивации поверхности полупроводников;
• для изоляции отдельных элементов СБИС друг от друга;
• в качестве подзатворного диэлектрика;
• в качестве одного из многослойных диэлектриков в производстве МНОП элементов памяти;
• в качестве изоляции в схемах с многослойной металлизацией;
• как составная часть шаблона для рентгеновской литографии.

Файлы: 1 файл

Okislenie_kremnia.docx

— 40.90 Кб (Просмотреть файл, Скачать файл)

Открыть текст работы Окисление кремния

Похожие темы