Автор работы: Пользователь скрыл имя, 19 Мая 2013 в 15:57, реферат
Для облегчения понимания физика работы туннельного диода необходимо рассмотреть электронные и дырочные полупроводники, явления, возникающие при их контакте, и влияние степени легирования исходные материалов на свойства p-n-перехода.
Плоскостная модель кристаллической решётки германия дана на рис. 1а. Атомы расположены на таких расстояниях друг от друга, что их внешние (валентные) электронные оболочки взаимно проникают друг в друга.
Вырожденные полупроводники. 9
Зависимость параметров от температуры. 18
Зависимость параметров туннельного диода от свойств полупроводникового материала. Сравнительная оценка диодов из разных материалов. 19
Использованная литература. 22
Методы изготовления туннельных диодов. 16
Образование p-n-перехода. 8
Обращенный диод. 16
Основные параметры туннельного диода и его эквивалентная схема. 17
Параметры туннельного диода и их определение. 17
Туннельный диод. 11
Физика туннельного диода. 3
Электронные и дырочные полупроводники. 3