Автор работы: Пользователь скрыл имя, 28 Ноября 2013 в 09:33, реферат
В 1963г., исследуя свойства полупроводниковых соединений в сильных электрических полях, Дж. Ганн обнаружил явление спонтанного возникновения колебаний электрического поля в однородных образцах арсенида галлия (GaAs) и фосфида индия (InP) при напряженности поля больше некоторого порогового значения. По имени автора открытия это явление стали называть эффектом Ганна, а созданные на его основе источники СВЧ колебаний – генераторами на диодах Ганна или просто генераторами Ганна.
Введение 3
Принцип работы 4
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) 5
Электрические параметры 6
Достоинства и применение 7