Диод Ганна
28 Ноября 2013 в 09:33, реферат
В 1963г., исследуя свойства полупроводниковых соединений в сильных электрических полях, Дж. Ганн обнаружил явление спонтанного возникновения колебаний электрического поля в однородных образцах арсенида галлия (GaAs) и фосфида индия (InP) при напряженности поля больше некоторого порогового значения. По имени автора открытия это явление стали называть эффектом Ганна, а созданные на его основе источники СВЧ колебаний – генераторами на диодах Ганна или просто генераторами Ганна.
Выпрямительные диоды
17 Ноября 2013 в 01:22, лекция
Диод – двухэлектродный полупроводниковый элемент, содержащий
n-проводящий и р-проводящий слои (рисунок 1.1). В n-проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в
р- проводящем слое – дырки. Существующий между этими слоями р-n переход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.
Полупроводниковые диоды
11 Сентября 2013 в 16:09, реферат
Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем основана на использовании процессов и явлений, происходящих в твердом теле. Поэтому знание физических основ теории твердого тела необходимо для понимания принципов работы и параметров разнообразных электронных элементов.
В твердом веществе атомы занимают устойчивые положения, определяемые межатомными связями. Обычно наиболее прочные связи возникают в веществе, имеющем кристаллическую структуру.
Полупроводниковые диоды
29 Марта 2014 в 05:21, реферат
Принципы работы термионного диода были заново открыты 13 февраля 1880 года Томасом Эдисоном, и затем, в 1883 году, запатентованы (патент США № 307031). Однако дальнейшего развития в работах Эдисона идея не получила. В 1899 году германский учёный Карл Фердинанд Браун запатентовал выпрямитель на кристалле[4]. Джэдиш Чандра Боус развил далее открытие Брауна в устройство применимое для детектирования радио. Около 1900 года Гринлиф Пикард создал первый радиоприёмник на кристаллическом диоде. Первый термионный диод был запатентован в Британии Джоном Амброзом Флемингом (научным советником компании Маркони и бывшим сотрудником Эдисона) 16 ноября 1904 года (патент США № 803684 от ноября 1905 года). 20 ноября 1906 года Пикард запатентовал кремниевый кристаллический детектор (патент США № 836531).
Туннельный эффект, туннельный диод
19 Мая 2013 в 15:57, реферат
Для облегчения понимания физика работы туннельного диода необходимо рассмотреть электронные и дырочные полупроводники, явления, возникающие при их контакте, и влияние степени легирования исходные материалов на свойства p-n-перехода.
Плоскостная модель кристаллической решётки германия дана на рис. 1а. Атомы расположены на таких расстояниях друг от друга, что их внешние (валентные) электронные оболочки взаимно проникают друг в друга.
Расчет параметров кремниевого планарного диода
06 Октября 2013 в 12:28, курсовая работа
Расчёт параметров диода.
Расчёт температурной зависимости обратного тока и прямого падения напряжения диода Iобр.(T), Uпр.(T).
Расчет максимально допустимой температуры Tmax и максимального тока диода в режиме стабилизации Imax
Расчёт температурной зависимости напряжения лавинного и теплового пробоев
UBлав (T), UBth (T).
Расчёт вольт – фарадной характеристики C(U).
Расчёт частотной зависимости добротности (при Uобр=1В) Q(ω).
Расчёт температурной зависимости добротности на низких и верхних частотах
Qнч(T), Qвч(T).
Расчёт зависимости времени восстановления диода при работе в импульсном режиме от прямого тока и обратного напряжения tвосст=f(Iпр), tвосст=f(Uобр).
Расчет полупроводникового диода и МДП-транзистора
08 Апреля 2013 в 18:31, курсовая работа
Полупроводниковые приборы, с момента изобретения, имеют широкое применение в различных сферах деятельности. В особенности, огромное распространение получили транзисторы. В связи с тем что они очень легко приспосабливаются к различным условиям применения, приборы почти полностью заменили электронные лампы. На основе транзисторов и их применений выросла широкая отрасль промышленности – полупроводниковая электроника. Одно из первых промышленных применений транзистор нашел на телефонных коммутационных станциях.
Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме
12 Марта 2014 в 16:51, реферат
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэтому такие приборы называют диодами Ганна).
Полупроводниковые диоды. Характеристика и параметры. Классификация и система обозначений. Выпрямители и фильтры
12 Декабря 2012 в 17:06, реферат
Основой полупроводникового диода является р-n-переход, определяющий его свойства, характеристики и параметры. В зависимости от конструктивных особенностей р-n-перехода и диода в целом полупроводниковые диоды изготовляются как в дискретном, так и в интегральном исполнении. По своему назначению полупроводниковые диоды подразделяются на выпрямительные (как разновидность выпрямительных – силовые), импульсные, высокочастотные и сверхвысокочастотные, стабилитроны, трехслойные переключающие, туннельные, варикапы, фото- и светодиоды. Условные графические обозначения диодов показаны на рис. 1.10.
Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
14 Ноября 2013 в 10:26, курсовая работа
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и является одним из самых популярных электронных устройств в современной радиотехнике.