Создание р-n переходов ионным легированием
Контрольная работа, 29 Января 2013, автор: пользователь скрыл имя
Описание работы
Ионное легирование (имплантация) - процесс внедрения в твердотельную подложку высокоэнергетичных (10-17...10-18кДж) ионизированных атомов легирующей примеси. Ионы формируют в энергетические пучки, разгоняют и выстреливают ими в мишень- подложку. За счёт высокой энергии ионы ударяясь о подложку проникают внутрь её и задерживаются в ней создавая зону легирования.