Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы низкочастотного усилителя телефонного

В данном курсовом проекте реализована конструкция и технология изготовления интегральной полупроводниковой микросхемы телефонного низкочастотного усилителя. Полученный кристалл имеет размер 872 498 мкм, что удовлетворяет техническому заданию. Кристалл помещен в прямоугольный корпус, который имеет 6 выводов. Данная схема оконечного каскада усилителя мощности имеет 15 элементов что соответствует второй степени интеграции. Схема разработана с учетом минимально допустимых размеров и имеет коэффициент заполнения кристалла 48%.
Разработанные топологический чертеж и комплект фотошаблонов выполнены в приложении Б данного курсового проекта.

Введение 5
1. Анализ технического задания 10
1.1 Анализ схемы 10
1.2 Расширенное техническое задание 12
2. Выбор и обоснование конструктивных и технологических
материалов 13
3. Конструктивный расчет 16
3.1 Расчет параметров транзисторов 16
3.2 Расчет параметров резисторов 23
3.3 Расчет параметров конденсаторов 27
4. Разработка топологии кристалла 29
5. Разработка технологии изготовления микросхемы 33
6. Сборка микросхемы 35
7. Заключение 36
8. Список использованных литературных источников 37
Приложение А 38
Приложение Б 39
Приложение В 40
Приложение Г 41