Flash-память
Flash-память
- Флэш-память - особый вид энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти.
Плюсы Flesh-памяти:
- Энергонезависимая - не требующая дополнительной энергии для хранения данных (энергия требуется только для записи).
- Перезаписываемая - допускающая изменение (перезапись) хранимых в ней данных.
- Полупроводниковая (твердотельная) - не содержащая механически движущихся частей (как обычные жёсткие диски или CD), построенная на основе интегральных микросхем (IC-Chip).
- Типичная ячейка флэш-памяти состоит всего-навсего из одного транзистора особой архитектуры. Ячейка флэш-памяти прекрасно масштабируется, что достигается не только благодаря успехам в миниатюризации размеров транзисторов, но и благодаря конструктивным находкам, позволяющим в одной ячейке флэш-памяти хранить несколько бит информации. Данные флэш хранит в ячейках памяти, похожих на ячейки в DRAM. В отличие от DRAM, при отключении питания данные из флэш-памяти не пропадают.
- Надёжность/долговечность: информация, записанная на флэш-память, может храниться очень длительное время (от 20 до 100 лет), и способна выдерживать значительные механические нагрузки (в 5-10 раз превышающие предельно допустимые для обычных жёстких дисков).
- Основное преимущество флэш-памяти перед жёсткими дисками и носителями CD-ROM состоит в том, что флэш-память потребляет значительно (примерно в 10-20 и более раз) меньше энергии во время работы. В устройствах CD-ROM, жёстких дисках, кассетах и других механических носителях информации, большая часть энергии уходит на приведение в движение механики этих устройств. Кроме того, флэш-память компактнее большинства других механических носителей.
Подробнее
Итак, благодаря низкому энергопотреблению,
компактности, долговечности и относительно
высокому быстродействию, флэш-память
идеально подходит для использования
в качестве накопителя в таких портативных
устройствах, как: цифровые фото- и видео
камеры, сотовые телефоны, портативные
компьютеры, MP3-плееры, цифровые диктофоны,
и т.п.
История:
Флэш-память исторически
произошла от полупроводникового ROM,
однако ROM-памятью не является, а
всего лишь имеет похожую на ROM
организацию. Множество источников
(как отечественных, так и зарубежных)
зачастую ошибочно относят флэш-память
к ROM. Флэш никак не может быть ROM хотя бы
потому, что ROM (Read Only Memory) переводится как
"память только для чтения". Ни о какой
возможности перезаписи в ROM речи быть
не может!
Изобретение флэш-памяти
зачастую незаслуженно приписывают
Intel, называя при этом 1988 год. На самом деле
память впервые была разработана компанией
Toshiba в 1984 году, и уже на следующий год было
начато производство 256Кбит микросхем
flash-памяти в промышленных масштабах. В
1988 году Intel разработала собственный вариант
флэш-памяти.
- Технологически флэш-память родственна как EPROM, так и EEPROM. Основное отличие флэш-памяти от EEPROM заключается в том, что стирание содержимого ячеек выполняется либо для всей микросхемы, либо для определённого блока (кластера, кадра или страницы). Обычный размер такого блока составляет 256 или 512 байт, однако в некоторых видах флэш-памяти объём блока может достигать 256КБ. Следует заметить, что существуют микросхемы, позволяющие работать с блоками разных размеров (для оптимизации быстродействия). Стирать можно как блок, так и содержимое всей микросхемы сразу. Таким образом, в общем случае, для того, чтобы изменить один байт, сначала в буфер считывается весь блок, где содержится подлежащий изменению байт, стирается содержимое блока, изменяется значение байта в буфере, после чего производится запись измененного в буфере блока. Такая схема существенно снижает скорость записи небольших объёмов данных в произвольные области памяти, однако значительно увеличивает быстродействие при последовательной записи данных большими порциями.
Преимущества флэш-памяти по
сравнению с EEPROM:
- 1. Более высокая скорость записи при последовательном доступе за счёт того, что стирание информации во flesh производится блоками.
- 2. Себестоимость производства флэш-памяти ниже за счёт более простой организации.
Недостаток: Медленная запись в произвольные
участки памяти.
Если мы посмотрим
в англо-русский словарь, то среди прочих
увидим следующие переводы
слова flash: короткий кадр
(фильма), вспышка, пронестись, мигание, мелькание,
отжиг (стекла).
Флэш-память получила
свое название благодаря тому, как
производится стирание и запись данного вида
памяти.
Основное объяснение:
Название
было дано компанией Toshiba во время разработки первых микросхем флэш-памяти (в начале 1980–х) как характеристика скорости стирания микросхемы флэш-памяти "in a
flash" - в мгновение ока.
На данный момент
Flesh устройства являются самыми популярными
носителями информации.
Ими пользуется почти
все население цивилизованных стран.