Виды пробоя p-n – перехода

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 30 Марта 2014 в 20:45, реферат

Описание работы

Возможны обратимые и необратимые пробои. Обратимый пробой – это пробой, после которого p-n-переход сохраняет работоспособность. Необратимый пробой ведет к разрушению структуры полупроводника.
Существуют четыре типа пробоя: лавинный, туннельный, тепловой и поверхностный. Лавинный и туннельный пробои объединятся под названием – электрический пробой, который является обратимым. К необратимым относят тепловой и поверхностный.

Содержание работы

1. Виды пробоя p-n – перехода, их причина и последствия.
2. Определение, назначение и вольт-амперные характеристики симистора.
3. Устройство и принцип действия полевого транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом p – типа.
4. Фотодиод: определение, условно-графическое обозначение, принцип работы, характеристики, параметры и назначение.

Файлы: 1 файл

электрота1.docx

— 120.03 Кб (Скачать файл)

  -малая инерционность.

Параметры и характеристики фотодиодов.

Параметры:

- чувствительность :

  отражает изменение электрического  состояния на выходе фотодиода  при подаче на вход единичного  оптического сигнала. Количественно  чувствительность измеряется отношением  изменения электрической характеристики, снимаемой на выходе фотоприемника, к световому потоку или потоку  излучения, его вызвавшему.

, - токовая чувствительность по световому потоку;

, - вольтаическая чувствительность по энергетическому потоку.

-шумы :

  помимо полезного сигнала на  выходе фотодиода появляется  хаотический сигнал со случайной  амплитудой и спектром - шум фотодиода. Он не позволяет регистрировать  сколь угодно малые полезные  сигналы. Шум фотодиода складывается  из шумов полупроводникового  материала и фотонного шума.

 

Характеристики:

-вольт-амперная характеристика (ВАХ) :

  зависимость выходного напряжения  от входного тока.

-спектральные характеристики :

  зависимость фототока от длины  волны падающего света на фотодиод. Она определяется со стороны  больших длин волн шириной  запрещенной зоны, при малых длинах  волн большим показателем поглощения  и увеличения влияния поверхностной  рекомбинации носителей заряда  с уменьшением длины волны  квантов света. То есть коротковолновая  граница чувствительности зависит  от толщины базы и от скорости  поверхностной рекомбинации. Положение  максимума в спектральной характеристике  фотодиода сильно зависит от  степени роста коэффициента поглощения.

- световые характеристики:

  зависимость фототока от освещенности, соответствует прямой пропорциональности  фототока от освещенности. Это  обусловлено тем, что толщина  базы фотодиода значительно меньше  диффузионной длины неосновных  носителей заряда. То есть практически  все неосновные носители заряда, возникшие в базе, принимают участие  в образовании фототока.

-постоянная времени :

  это время, в течение которого  фототок фотодиода изменяется  после освещения или после  затемнения фотодиода в е раз (63%) по отношению к установившемуся  значению.

-темновое сопротивление :

сопротивление фотодиода в отсутствие освещения.

- инерционность.

 

 


Информация о работе Виды пробоя p-n – перехода