Транзисторы шестого поколения

последнее время сектор элементной базы для силовой электроники бурно развивается. Базовыми элементами силовых регулирующих устройств являются мощные ключи. Их основными параметрами являются предельные напряжения
и ток, а также быстродействие и эффективность передачи энергии. В качестве мощных ключевых элементов используются MOSFET_транзисторы, IGBT транзисторы и тиристоры. В тех областях, где требуется сочетание высоких рабочих напряжений и токов, доминируют IGBT_транзисторы. Они могут использоваться в виде дискретных приборов, бескорпусных кристаллов в составе гибридных силовых модулей и интеллектуальных силовых модулях различных приводов.